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Nanostructuration par séparation de phase dans des mélanges d’homopolymères

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Contrôle des morphologies avec les paramètres de dépôt et de post-traitement

Nous étudions l’influence des paramètres de mise en œuvre de films minces de mélanges d’homopolymères (par exemple la vitesse de retrait en dip-coating) sur les morphologies obtenues.

Exemple du dip-coating : l’épaisseur et la morphologie finale (phase ségrégées, phases stratifiées, phases homogènes) est contrôlée par la vitesse de retrait


Réalisation de masques de gravures pour la gravure profonde du silicium

L’obtention de phases ségrégées submicroniques, dans des films déposés sur des substrats de silicium, peut être exploitée pour des applications en lithographie. L’extraction sélective de la phase minoritaire conduit la formation de films polymères perforés qui peut être utilisés pour la réalisation de masques de gravure. La sélectivité peut être grandement améliorée par conversion de ces films en maques inorganiques (SiO2, RuO2).

Exemple de masque de gravure obtenu par séparation de phase dans des films de mélange de PS et de PLA. La gravure profonde su silicium est obtenue par cryogravure (programme APR-IR SUSCRYPP, Région Centre Val de Loire, GREMI, STMicroelectronic).


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